Intel想翻盘:2年内EUV工艺欲超越台积电、三星

Intel以往是全球最先进芯片工艺的领导者,然而在14nm到10nm节点之间遇到了问题,导致台积电、三星追赶上来了,并且率先量产了EUV工艺,不过Intel也在努力反超,CEO制定的路线图意味着他们只要2年就能实现EUV工艺赶超台积电、三星的计划。

Intel目前量产的工艺是Intel 7,从明年的14代酷睿开始进入Intel 4工艺,这是Intel首个EUV工艺,之后的Intel 3工艺则是在Intel 4基础上改进。

2024年上半年Intel会量产20A工艺,原定2025年量产的18A工艺也提前到了2024年下半年,这两代工艺会放弃FinFET晶体管工艺,首次进入埃米级工艺,用上Intel的两大黑科技技术,也就是RibbonFET和PowerVia,前者是GAA晶体管的Intel版,后者是Intel首创并独有的背面供电技术。

按照Intel的计划,这个路线图意味着他们在2023-2024年的1-2年内就会实现三代EUV工艺量产,而且技术水平足以超过台积电重返第一的。

要知道,台积电、三星最早在2018-2019年就开始生产EUV工艺,华为的麒麟990是首个台积电7nm EUV工艺,到2024-2025年的时候,这两家量产EUV工艺至少5-6年时间,Intel只用1-2年就轻松超越了。

Intel现在的4年量产5代CPU工艺的路线图如果没有任何跳票,那真的是Intel的奇迹4年。

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